Samsung Develops Industry’s Highest-Capacity DDR5 DRAM

QNA

Seoul: Samsung Electronics announced today that it has developed the industrys first and highest-capacity 32-gigabit (Gb) DDR5 DRAM1 using 12 nanometer (nm)-class process technology.

This comes after Samsung began mass production of its 12nm-class 16Gb DDR5 DRAM in May 2023. It solidifies Samsungs leadership in next-generation DRAM technology and signals the next chapter of high-capacity memory.

“With our 12nm-class 32Gb DRAM, we have secured a solution that will enable DRAM modules of up to 1-terabyte (TB), allowing us to be ideally positioned to serve the growing need for high-capacity DRAM in the era of AI (Artificial Intelligence) and big data,” Executive Vice President of DRAM Product & Technology at Samsung Electronics SangJoon Hwang said, according to a statement by Samsung.

Having developed its first 64-kilobit (Kb) DRAM in 1983, Samsung has now succeeded in enhancing its DRAM capacity by a factor of 500,000 over the last 40 years.

قنا

سول: أعلنت شركة /سامسونج/ يوم الجمعة ، أنها طوّرت ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية /DDR5 DRAM/ الأولى والأعلى سعة في الصناعة بسعة 32 جيجابت، وذلك باستخدام تقنية المعالجة من فئة 12 نانومتر.

وقال سانج جون هوانج، نائب الرئيس التنفيذي لمنتجات وتقنية DRAM في شركة /سامسونج إلكترونيكس/، إنه من خلال ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بسعة 32 جيجابت من فئة 12 نانومتر، حصلنا على حل من شأنه تمكين وحدات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بسعة تصل إلى 1 تيرابايت، مما يتيح لنا أن نكون في وضع مثالي لتلبية الحاجة المتزايدة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي والبيانات الضخمة.

وأضاف هوانج قائلا: “سنواصل تطوير حلول DRAM من خلال تقنيات المعالجة والتصميم المتميزة لكسر حدود تقنية الذاكرة”.

ويأتي هذا الإنجاز بعد أن بدأت /سامسونج/ الإنتاج الضخم لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابت من فئة 12 نانومتر في شهر مايو الماضي.